Asociación de Infineon y Resonac para satisfacer la creciente demanda de semiconductores de carburo de silicio

Asociación de Infineon y Resonac para satisfacer la creciente demanda de semiconductores de carburo de silicio

• Nuevo acuerdo plurianual para profundizar la asociación en la cadena de suministro de carburo de silicio
• Infineon amplía su capacidad de fabricación de SiC para alcanzar una cuota de mercado del 30 % a finales de la década

(COMUNICADO DE PRENSA) MUNICH, 12-Jan-2023 — /EuropaWire/ — Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY), un fabricante alemán de semiconductores, ha anunciado una expansión de su cooperación con el proveedor de carburo de silicio (SiC) Resonac Corporation (anteriormente Showa Denko K.K.). Las dos empresas han firmado un nuevo acuerdo de cooperación y suministro de varios años, que profundizará su asociación a largo plazo en material de SiC. Según el acuerdo, Resonac suministrará a Infineon materiales de SiC para la producción de semiconductores de SiC, cubriendo una participación de dos dígitos de la demanda prevista para la próxima década. La fase inicial se centrará en el suministro de material de SiC de 6″, y Resonac también respaldará la transición de Infineon a un diámetro de oblea de 8″ durante los últimos años del acuerdo. Como parte de la cooperación, Infineon también proporcionará a Resonac propiedad intelectual relacionada con las tecnologías de materiales de SiC. La asociación tiene como objetivo respaldar la estabilidad de la cadena de suministro y el crecimiento del material semiconductor emergente SiC.

“La demanda de SiC está creciendo rápidamente y nos estamos preparando para este desarrollo con una expansión significativa de nuestras capacidades de fabricación”, dijo Angelique van der Burg, directora de adquisiciones de Infineon. “Nos complace profundizar nuestra colaboración con Resonac y fortalecer la asociación entre nuestras dos empresas”.

“Las oportunidades comerciales en el área de generación y almacenamiento de energía renovable, electromovilidad e infraestructura son enormes para los próximos años. Infineon está duplicando sus inversiones en tecnología SiC y cartera de productos, para proliferar la oferta de productos más completa para sus clientes. Estamos muy contentos de que nuestra asociación con Resonac apoye firmemente nuestra posición de liderazgo en el mercado”, dijo Peter Wawer, presidente de la división de control de energía industrial de Infineon.

“Nos complace asociarnos con Infineon como líder mundial en semiconductores de potencia para satisfacer la creciente demanda de SiC en los próximos años. Mejoraremos continuamente nuestro mejor material de SiC en su clase y desarrollaremos la próxima generación de Tecnología de oblea de 8″. Valoramos a Infineon como un excelente socio en este sentido”, dijo Jiro Ishikawa, asesor ejecutivo de la unidad comercial de soluciones de dispositivos de Resonac.

Infineon actualmente está expandiendo su capacidad de fabricación de SiC para alcanzar una participación de mercado del 30 por ciento para fines de la década. La capacidad de fabricación de SiC de Infineon está a punto de multiplicarse por diez para 2027. Está previsto que una nueva planta en Kulim comience la producción en 2024. En la actualidad, Infineon ya proporciona semiconductores de SiC a más de 3600 clientes en todo el mundo.

Acerca de Infineon

Infineon Technologies AG es un líder mundial en semiconductores en sistemas de energía e IoT. Infineon impulsa la descarbonización y la digitalización con sus productos y soluciones. La empresa tiene alrededor de 56.200 empleados en todo el mundo y generó unos ingresos de unos 14.200 millones de euros en el año fiscal 2022 (que finaliza el 30 de septiembre). Infineon cotiza en la Bolsa de Valores de Frankfurt (símbolo de cotización: IFX) y en EE. UU. en el mercado extrabursátil internacional OTCQX (símbolo de cotización: IFNNY).

DESCARGO DE RESPONSABILIDAD: La versión en español de este comunicado de prensa es una traducción del comunicado de prensa original, que está escrito en inglés, y es solo para fines informativos. En caso de discrepancia, prevalecerá la versión en inglés de este comunicado de prensa.

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SOURCE: Infineon Technologies AG